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| 数据手册 | IXTZ550N055T2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | DE-475-6 |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| Pd-功率耗散 | 600 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Id-连续漏极电流 | 550 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 1 MOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 595 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：55,765
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥171.8818
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥171.8818 | ￥171.8818 |
| 5+ | ￥163.2705 | ￥816.3525 |
| 10+ | ￥158.9957 | ￥1,589.9570 |
| 25+ | ￥146.1097 | ￥3,652.7425 |
| 50+ | ￥139.8517 | ￥6,992.5850 |
| 100+ | ￥135.7620 | ￥13,576.2000 |
| 250+ | ￥124.6035 | ￥31,150.8750 |
| 500+ | ￥118.5924 | ￥59,296.2000 |
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