图像仅供参考 请参阅产品规格

    IPB65R110CFDAATMA1

    MOSFET N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IPB65R110CFDAATMA1 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 40 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-263-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 CoolMOS
    配置 Single
    Pd-功率耗散 277.8 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 650 V
    Id-连续漏极电流 31.2 A
    Rds On-漏源导通电阻 99 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 3.5 V
    Qg-栅极电荷 118 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:59,122

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥38.4819
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥38.4819 ¥38.4819
    10+ ¥33.1495 ¥331.4950
    100+ ¥27.4468 ¥2,744.6800
    250+ ¥25.8426 ¥6,460.6500
    1,000+ ¥21.8147 ¥21,814.7000
    2,000+ ¥21.0038 ¥42,007.6000

    申请更低价? 请联系客服QQ 154861934

    新品资讯