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    IXFK120N20P

    MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds

    制造商:
    IXYS
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IXFK120N20P 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-264-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 HiPerFET
    配置 Single
    Pd-功率耗散 714 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 200 V
    Id-连续漏极电流 120 A
    Rds On-漏源导通电阻 22 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 5 V
    Qg-栅极电荷 152 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:52,675

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥73.1738
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥73.1738 ¥73.1738
    10+ ¥65.8670 ¥658.6700
    25+ ¥54.7790 ¥1,369.4750
    50+ ¥50.9361 ¥2,546.8050
    100+ ¥49.7550 ¥4,975.5000
    250+ ¥43.9290 ¥10,982.2500
    500+ ¥40.8970 ¥20,448.5000
    1,000+ ¥39.4074 ¥39,407.4000

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