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    STW65N80K5

    MOSFET PTD HIGH VOLTAGE

    制造商:
    STMicroelectronics
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 STW65N80K5 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-247-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 MDmesh
    配置 Single
    Pd-功率耗散 446 W
    Vgs - 栅极-源极电压 30 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 800 V
    Id-连续漏极电流 46 A
    Rds On-漏源导通电阻 80 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 4 V
    Qg-栅极电荷 92 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:58,385

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥78.0127
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥78.0127 ¥78.0127
    10+ ¥71.6931 ¥716.9310
    25+ ¥68.7139 ¥1,717.8475
    100+ ¥59.4857 ¥5,948.5700
    250+ ¥57.5642 ¥14,391.0500
    500+ ¥53.8447 ¥26,922.3500
    1,000+ ¥49.4465 ¥49,446.5000

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