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| 数据手册 | FDP18N50 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 38.5 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 265 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,036
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥14.8075
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥14.8075 | ￥14.8075 |
| 10+ | ￥12.5776 | ￥125.7760 |
| 100+ | ￥9.7924 | ￥979.2400 |
| 250+ | ￥9.4839 | ￥2,370.9750 |
| 500+ | ￥8.3028 | ￥4,151.4000 |
| 1,000+ | ￥6.9983 | ￥6,998.3000 |
| 2,000+ | ￥6.8132 | ￥13,626.4000 |
| 5,000+ | ￥6.4430 | ￥32,215.0000 |
| 10,000+ | ￥6.2579 | ￥62,579.0000 |
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