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| 数据手册 | IXTH8P50 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 180 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
| Qg-栅极电荷 | 130 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：51,456
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥37.9178
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥37.9178 | ￥37.9178 |
| 10+ | ￥34.2071 | ￥342.0710 |
| 50+ | ￥31.8450 | ￥1,592.2500 |
| 100+ | ￥31.1046 | ￥3,110.4600 |
| 250+ | ￥28.3811 | ￥7,095.2750 |
| 500+ | ￥23.8595 | ￥11,929.7500 |
| 1,000+ | ￥21.4356 | ￥21,435.6000 |
| 2,500+ | ￥20.6953 | ￥51,738.2500 |
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