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| 数据手册 | IXTQ22N60P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3P-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 400 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 22 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 350 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存:58,341
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥39.0372
| 数量 | 单价(含税) | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ¥39.0372 | ¥39.0372 |
| 10+ | ¥34.8858 | ¥348.8580 |
| 25+ | ¥30.3642 | ¥759.1050 |
| 50+ | ¥29.7384 | ¥1,486.9200 |
| 100+ | ¥28.6279 | ¥2,862.7900 |
| 250+ | ¥24.4148 | ¥6,103.7000 |
| 500+ | ¥23.1720 | ¥11,586.0000 |
| 1,000+ | ¥19.2057 | ¥19,205.7000 |
| 2,500+ | ¥16.7290 | ¥41,822.5000 |
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