SIHW47N60E-GE3
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
- 制造商：
- Vishay / Siliconix
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | SIHW47N60E-GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247AD-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 379 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 47 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 65 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 152 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,532
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥57.5025
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥57.5025 | ￥57.5025 |
| 10+ | ￥51.9233 | ￥519.2330 |
| 25+ | ￥49.3231 | ￥1,233.0775 |
| 100+ | ￥43.0035 | ￥4,300.3500 |
| 250+ | ￥41.8841 | ￥10,471.0250 |
| 500+ | ￥37.4242 | ￥18,712.1000 |
| 1,000+ | ￥32.5942 | ￥32,594.2000 |
申请更低价? 请联系客服QQ 154861934
