STW58N65DM2AG
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE
- 制造商：
- STMicroelectronics
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | STW58N65DM2AG 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | MDmesh |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 360 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 25 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Id-连续漏极电流 | 48 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 65 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 88 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,494
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥63.3903
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥63.3903 | ￥63.3903 |
| 10+ | ￥54.5851 | ￥545.8510 |
| 100+ | ￥45.2334 | ￥4,523.3400 |
| 250+ | ￥42.6333 | ￥10,658.3250 |
| 500+ | ￥39.9010 | ￥19,950.5000 |
| 1,000+ | ￥36.1198 | ￥36,119.8000 |
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