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| 数据手册 | VN0104N3-G 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-92-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Id-连续漏极电流 | 350 mA |
| Rds On-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 800 mV |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,424
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥3.5961
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥3.5961 | ￥3.5961 |
| 25+ | ￥2.9703 | ￥74.2575 |
| 100+ | ￥2.7235 | ￥272.3500 |
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