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| 数据手册 | IRF630NPBF 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 82 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Id-连续漏极电流 | 9.3 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 300 mOhms |
| Qg-栅极电荷 | 23.3 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：56,914
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥5.1386
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥5.1386 | ￥5.1386 |
| 10+ | ￥4.3277 | ￥43.2770 |
| 100+ | ￥3.2171 | ￥321.7100 |
| 500+ | ￥2.7588 | ￥1,379.4000 |
| 1,000+ | ￥2.4944 | ￥2,494.4000 |
| 2,000+ | ￥2.4150 | ￥4,830.0000 |
| 10,000+ | ￥2.3445 | ￥23,445.0000 |
| 25,000+ | ￥2.2652 | ￥56,630.0000 |
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