图像仅供参考 请参阅产品规格

    IRLB3813PBF

    MOSFET MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IRLB3813PBF 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-220-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 230 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 30 V
    Id-连续漏极电流 260 A
    Rds On-漏源导通电阻 1.95 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 1.9 V
    Qg-栅极电荷 57 nC

    库存:58,634

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥10.1008
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥10.1008 ¥10.1008
    10+ ¥8.5496 ¥85.4960
    100+ ¥6.5047 ¥650.4700
    500+ ¥5.6586 ¥2,829.3000
    1,000+ ¥4.9006 ¥4,900.6000

    申请更低价? 请联系客服

    新品资讯