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| 数据手册 | SI4564DY-T1-GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SO-8 |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | TrenchFET |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W, 3.2 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel, P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Id-连续漏极电流 | 10 A, 9.2 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 17.5 mOhms, 21 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 800 mV, 1.2 V |
| Qg-栅极电荷 | 20.5 nC, 41.5 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：51,044
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥7.9943
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥7.9943 | ￥7.9943 |
| 10+ | ￥7.0600 | ￥70.6000 |
| 100+ | ￥5.6762 | ￥567.6200 |
| 500+ | ￥5.0064 | ￥2,503.2000 |
| 2,500+ | ￥3.4110 | ￥8,527.5000 |
| 5,000+ | ￥3.2876 | ￥16,438.0000 |
| 10,000+ | ￥3.1202 | ￥31,202.0000 |
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