SCT30N120
MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET
- 制造商：
- STMicroelectronics
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | SCT30N120 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 200 C |
| 封装 / 箱体 | HiP-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SiC |
| 商标名 | HiP247 |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 270 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | - 10 V, 25 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
| Id-连续漏极电流 | 45 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 80 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 105 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,588
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥123.2462
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥123.2462 | ￥123.2462 |
| 10+ | ￥113.2070 | ￥1,132.0700 |
| 25+ | ￥108.5620 | ￥2,714.0500 |
| 100+ | ￥101.3081 | ￥10,130.8100 |
| 250+ | ￥90.8988 | ￥22,724.7000 |
| 500+ | ￥85.0727 | ￥42,536.3500 |
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