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    FDB86360-F085

    MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET

    制造商:
    ON Semiconductor / Fairchild
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 FDB86360-F085 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    资格 AEC-Q101
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-263-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 PowerTrench
    配置 Single
    Pd-功率耗散 333 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 80 V
    Id-连续漏极电流 110 A
    Rds On-漏源导通电阻 1.5 MOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 3 V
    Qg-栅极电荷 207 nC

    库存:53,906

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥26.3979
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥26.3979 ¥26.3979
    10+ ¥22.4316 ¥224.3160
    100+ ¥17.9717 ¥1,797.1700
    250+ ¥16.9141 ¥4,228.5250
    800+ ¥13.9437 ¥11,154.9600
    2,400+ ¥13.4502 ¥32,280.4800
    4,800+ ¥12.8244 ¥61,557.1200

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