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    IPD320N20N3GATMA1

    MOSFET TRENCH >=100V

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IPD320N20N3GATMA1 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-252-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 OptiMOS
    配置 Single
    Pd-功率耗散 136 W
    Vgs - 栅极-源极电压 10 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 200 V
    Id-连续漏极电流 34 A
    Rds On-漏源导通电阻 32 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 2 V
    Qg-栅极电荷 22 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:57,496

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥16.7907
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥16.7907 ¥16.7907
    10+ ¥14.2522 ¥142.5220
    100+ ¥10.8412 ¥1,084.1200
    500+ ¥9.4222 ¥4,711.1000
    2,500+ ¥7.7475 ¥19,368.7500
    10,000+ ¥6.9983 ¥69,983.0000

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