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| 数据手册 | IXFN60N80P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Chassis Mount |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 1040 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Id-连续漏极电流 | 53 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 140 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存:51,593
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥168.0389
| 数量 | 单价(含税) | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ¥168.0389 | ¥168.0389 |
| 5+ | ¥166.5582 | ¥832.7910 |
| 10+ | ¥154.9061 | ¥1,549.0610 |
| 25+ | ¥147.9694 | ¥3,699.2350 |
| 50+ | ¥141.6498 | ¥7,082.4900 |
| 100+ | ¥130.5530 | ¥13,055.3000 |
| 200+ | ¥121.8800 | ¥24,376.0000 |
| 500+ | ¥111.4090 | ¥55,704.5000 |
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