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| 数据手册 | IXTN200N10L2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Chassis Mount |
| 封装 | Tube |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 830 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 178 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 11 mOhms |
库存：56,746
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥231.7377
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥231.7377 | ￥231.7377 |
| 5+ | ￥220.1561 | ￥1,100.7805 |
| 10+ | ￥206.2123 | ￥2,062.1230 |
| 25+ | ￥194.5602 | ￥4,864.0050 |
| 50+ | ￥190.7173 | ￥9,535.8650 |
| 100+ | ￥173.8033 | ￥17,380.3300 |
| 200+ | ￥162.2217 | ￥32,444.3400 |
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