GS61008T-E01-MR
MOSFET 100V, 90A, GaN E-HEMT, GaNPX package, Top-side cooled
- 制造商：
- GaN Systems
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | GS61008T-E01-MR 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | GaNPX-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | GaN |
| 配置 | Single |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 7 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 90 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 7 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.3 V |
| Qg-栅极电荷 | 12 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,672
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥47.0932
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥47.0932 | ￥47.0932 |
| 10+ | ￥45.8504 | ￥458.5040 |
| 25+ | ￥44.6165 | ￥1,115.4125 |
| 250+ | ￥42.4482 | ￥10,612.0500 |
| 1,000+ | ￥41.2671 | ￥41,267.1000 |
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