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| 数据手册 | IXTA02N250HV 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263AB-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 83 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 2.5 kV |
| Id-连续漏极电流 | 200 mA |
| Rds On-漏源导通电阻 | 450 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 7.4 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,149
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥56.0130
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥56.0130 | ￥56.0130 |
| 10+ | ￥50.6276 | ￥506.2760 |
| 50+ | ￥47.0932 | ￥2,354.6600 |
| 100+ | ￥45.9738 | ￥4,597.3800 |
| 250+ | ￥42.0075 | ￥10,501.8750 |
| 500+ | ￥35.3177 | ￥17,658.8500 |
| 1,000+ | ￥31.7833 | ￥31,783.3000 |
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