SCT20N120
MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET
- 制造商：
- STMicroelectronics
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | SCT20N120 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 200 C |
| 封装 / 箱体 | HiP-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SiC |
| 商标名 | HiP247 |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 175 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 239 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
| Qg-栅极电荷 | 45 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,135
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥70.2652
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥70.2652 | ￥70.2652 |
| 10+ | ￥64.5626 | ￥645.6260 |
| 25+ | ￥61.9007 | ￥1,547.5175 |
| 100+ | ￥53.5362 | ￥5,353.6200 |
| 250+ | ￥51.8616 | ￥12,965.4000 |
| 500+ | ￥50.1869 | ￥25,093.4500 |
| 1,000+ | ￥48.6445 | ￥48,644.5000 |
申请更低价? 请联系客服QQ 154861934
