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| 数据手册 | IXFT320N10T2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-268-3 |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| Pd-功率耗散 | 1 kW |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 320 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 3.5 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 430 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,014
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥84.9493
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥84.9493 | ￥84.9493 |
| 10+ | ￥78.0744 | ￥780.7440 |
| 100+ | ￥77.2018 | ￥7,720.1800 |
| 250+ | ￥70.7588 | ￥17,689.7000 |
| 500+ | ￥64.2541 | ￥32,127.0500 |
| 1,000+ | ￥53.7830 | ￥53,783.0000 |
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