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| 数据手册 | IXTT2N170D2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-268-3 |
| 技术 | SI |
| Pd-功率耗散 | 568 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.7 kV |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 6.5 Ohms |
| Qg-栅极电荷 | 110 nC |
库存：55,978
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥112.8368
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥112.8368 | ￥112.8368 |
| 10+ | ￥103.6615 | ￥1,036.6150 |
| 50+ | ￥100.1270 | ￥5,006.3500 |
| 100+ | ￥85.9453 | ￥8,594.5300 |
| 500+ | ￥77.8893 | ￥38,944.6500 |
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