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| 数据手册 | IXFN360N10T 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Chassis Mount |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 830 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 360 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 2.6 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 525 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,641
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥124.1099
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥124.1099 | ￥124.1099 |
| 10+ | ￥114.0708 | ￥1,140.7080 |
| 20+ | ￥109.3024 | ￥2,186.0480 |
| 100+ | ￥94.5566 | ￥9,455.6600 |
| 200+ | ￥91.5775 | ￥18,315.5000 |
| 500+ | ￥85.6897 | ￥42,844.8500 |
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