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| 数据手册 | FDP083N15A-F102 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 231 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Id-连续漏极电流 | 105 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 6.85 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 64.5 nC |
库存：55,608
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥22.3699
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥22.3699 | ￥22.3699 |
| 10+ | ￥18.9589 | ￥189.5890 |
| 100+ | ￥15.1777 | ￥1,517.7700 |
| 250+ | ￥14.3139 | ￥3,578.4750 |
| 500+ | ￥13.5119 | ￥6,755.9500 |
| 1,000+ | ￥12.8244 | ￥12,824.4000 |
| 2,500+ | ￥12.3925 | ￥30,981.2500 |
| 5,000+ | ￥12.0223 | ￥60,111.5000 |
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