| 产品属性 |
属性值 |
| 产品目录 |
MOSFET |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
| 资格 |
AEC-Q101 |
| 封装 |
Cut Tape, Reel |
| 最小工作温度 |
- 55 C |
| 最大工作温度 |
+ 175 C |
| 封装 / 箱体 |
DirectFET-L8 |
| 通道数量 |
1 Channel |
| 技术 |
SI |
| 配置 |
Single |
| Pd-功率耗散 |
340 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 |
40 V |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
40 V |
| Id-连续漏极电流 |
545 A |
| Rds On-漏源导通电阻 |
600 uOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 |
2.2 V |
| Qg-栅极电荷 |
562 nC |
| 通道模式 |
Enhancement |
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥35.3794
| 数量 |
单价（含税） |
总计 |
|
1+
|
￥35.3794 |
￥35.3794 |
|
10+
|
￥30.0557 |
￥300.5570 |
|
100+
|
￥22.7401 |
￥2,274.0100 |
|
500+
|
￥21.3740 |
￥10,687.0000 |
|
1,000+
|
￥18.2802 |
￥18,280.2000 |
|
2,000+
|
￥17.7250 |
￥35,450.0000 |
|
4,000+
|
￥16.4205 |
￥65,682.0000 |
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