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| 数据手册 | FQA160N08 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3PN-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | QFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 375 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 25 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Id-连续漏极电流 | 160 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 7 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：55,786
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥37.1775
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥37.1775 | ￥37.1775 |
| 10+ | ￥31.5365 | ￥315.3650 |
| 100+ | ￥25.2169 | ￥2,521.6900 |
| 250+ | ￥23.8595 | ￥5,964.8750 |
| 500+ | ￥22.4316 | ￥11,215.8000 |
| 1,000+ | ￥19.6464 | ￥19,646.4000 |
| 2,500+ | ￥18.8972 | ￥47,243.0000 |
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