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    IPG20N10S4L35ATMA1

    MOSFET MOSFET

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IPG20N10S4L35ATMA1 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    资格 AEC-Q101
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TDSON-8
    通道数量 2 Channel
    技术 SI
    配置 Dual
    Pd-功率耗散 43 W
    Vgs - 栅极-源极电压 16 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 100 V
    Id-连续漏极电流 20 A
    Rds On-漏源导通电阻 29 mOhms, 29 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 1.1 V
    Qg-栅极电荷 17.4 nC, 17.4 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:55,339

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥6.5664
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥6.5664 ¥6.5664
    10+ ¥5.5969 ¥55.9690
    100+ ¥4.1602 ¥416.0200
    500+ ¥3.5609 ¥1,780.4500
    5,000+ ¥2.6001 ¥13,000.5000
    10,000+ ¥2.4767 ¥24,767.0000
    25,000+ ¥2.4062 ¥60,155.0000

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