文档与媒体
数据手册 | IXFK44N50P 点击下载 |
---|
产品规格
产品属性 | 属性值 |
---|---|
产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-264-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | HiPerFET |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 650 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Id-连续漏极电流 | 44 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 140 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
库存:57,733
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥57.3791
数量 | 单价(含税) | 总计 |
---|---|---|
1+ | ¥57.3791 | ¥57.3791 |
10+ | ¥51.7999 | ¥517.9990 |
50+ | ¥48.2038 | ¥2,410.1900 |
100+ | ¥47.0932 | ¥4,709.3200 |
250+ | ¥43.0035 | ¥10,750.8750 |
500+ | ¥39.2223 | ¥19,611.1500 |
1,000+ | ¥32.5325 | ¥32,532.5000 |
申请更低价? 请联系客服