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    IXFN360N15T2

    MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

    制造商:
    IXYS
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IXFN360N15T2 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Chassis Mount
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 SOT-227-4
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 HiPerFET
    配置 Single
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 150 V
    Id-连续漏极电流 310 A
    Rds On-漏源导通电阻 4 mOhms

    库存:58,557

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥221.5751
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥221.5751 ¥221.5751
    5+ ¥219.6537 ¥1,098.2685
    10+ ¥204.3526 ¥2,043.5260
    25+ ¥195.1860 ¥4,879.6500
    50+ ¥190.5322 ¥9,526.6100
    100+ ¥172.1903 ¥17,219.0300
    200+ ¥160.7321 ¥32,146.4200

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