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数据手册 | UF3C065080K4S 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
资格 | AEC-Q101 |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 175 C |
封装 / 箱体 | TO-247-4 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SiC |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 190 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 25 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
Id-连续漏极电流 | 31 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
Qg-栅极电荷 | 51 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:59,588
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥44.2375
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥44.2375 | ¥44.2375 |
10+ | ¥39.9010 | ¥399.0100 |
25+ | ¥38.0412 | ¥951.0300 |
100+ | ¥31.5365 | ¥3,153.6500 |
250+ | ¥29.7384 | ¥7,434.6000 |
500+ | ¥27.8170 | ¥13,908.5000 |
1,000+ | ¥25.0318 | ¥25,031.8000 |
2,500+ | ¥24.1063 | ¥60,265.7500 |
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