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| 数据手册 | IXTN110N20L2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Chassis Mount |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 技术 | SI |
| 商标名 | Linear L2 |
| Pd-功率耗散 | 735 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 24 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 500 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,256
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥223.6200
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥223.6200 | ￥223.6200 |
| 5+ | ￥221.6368 | ￥1,108.1840 |
| 10+ | ￥206.2123 | ￥2,062.1230 |
| 25+ | ￥201.0650 | ￥5,026.6250 |
| 50+ | ￥196.4200 | ￥9,821.0000 |
| 100+ | ￥183.0403 | ￥18,304.0300 |
| 200+ | ￥165.9941 | ￥33,198.8200 |
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