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    IRF6623TRPBF

    MOSFET 20V 1 N-CH 5.7mOhm DirectFET 11nC

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IRF6623TRPBF 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 40 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 DirectFET-ST
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 42 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 20 V
    Id-连续漏极电流 16 A
    Rds On-漏源导通电阻 9.7 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 2.2 V
    Qg-栅极电荷 11 nC

    库存:58,169

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥11.0263
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥11.0263 ¥11.0263
    10+ ¥9.3605 ¥93.6050
    100+ ¥7.0600 ¥706.0000
    500+ ¥6.1874 ¥3,093.7000
    2,500+ ¥4.6097 ¥11,524.2500
    4,800+ ¥4.6097 ¥22,126.5600
    9,600+ ¥4.4951 ¥43,152.9600

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