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| 数据手册 | IXFN80N50P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Chassis Mount |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 700 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 66 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 65 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,437
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥144.8052
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥144.8052 | ￥144.8052 |
| 5+ | ￥143.5007 | ￥717.5035 |
| 10+ | ￥133.5321 | ￥1,335.3210 |
| 25+ | ￥127.5210 | ￥3,188.0250 |
| 50+ | ￥124.5418 | ￥6,227.0900 |
| 100+ | ￥112.5195 | ￥11,251.9500 |
| 200+ | ￥105.0276 | ￥21,005.5200 |
| 500+ | ￥96.0462 | ￥48,023.1000 |
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