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    SIA414DJ-T1-GE3

    MOSFET 8.0V 12A 19W 11mohm @ 4.5V

    制造商:
    Vishay Semiconductors
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

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    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 SC-70-6
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 TrenchFET, PowerPAK
    配置 Single
    Pd-功率耗散 19 W
    Vgs - 栅极-源极电压 4.5 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 8 V
    Id-连续漏极电流 12 A
    Rds On-漏源导通电阻 11 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 350 mV
    Qg-栅极电荷 19 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:57,092

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥5.7027
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥5.7027 ¥5.7027
    10+ ¥4.8124 ¥48.1240
    100+ ¥3.7371 ¥373.7100
    500+ ¥3.2083 ¥1,604.1500
    3,000+ ¥2.3357 ¥7,007.1000
    6,000+ ¥2.2211 ¥13,326.6000
    9,000+ ¥2.1771 ¥19,593.9000

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