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| 数据手册 | IXTQ170N10P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3P-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 714 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 170 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 9 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,847
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥49.3848
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥49.3848 | ￥49.3848 |
| 25+ | ￥44.6782 | ￥1,116.9550 |
| 50+ | ￥41.5139 | ￥2,075.6950 |
| 100+ | ￥40.5268 | ￥4,052.6800 |
| 250+ | ￥35.2560 | ￥8,814.0000 |
| 500+ | ￥31.1046 | ￥15,552.3000 |
| 1,000+ | ￥28.0109 | ￥28,010.9000 |
| 2,500+ | ￥27.5702 | ￥68,925.5000 |
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