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    SCT2120AFC

    MOSFET MOSFET650V 29 -220A Silicon Carbide SiC

    制造商:
    ROHM Semiconductor
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 SCT2120AFC 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-220AB-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SiC
    配置 Single
    Pd-功率耗散 165 W
    Vgs - 栅极-源极电压 - 6 V, 22 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 650 V
    Id-连续漏极电流 29 A
    Rds On-漏源导通电阻 120 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 1.6 V
    Qg-栅极电荷 61 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:55,332

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥80.4278
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥80.4278 ¥80.4278
    10+ ¥73.8613 ¥738.6130
    25+ ¥70.8205 ¥1,770.5125
    100+ ¥62.3326 ¥6,233.2600
    250+ ¥60.5346 ¥15,133.6500

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