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| 数据手册 | IXFN82N60P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Chassis Mount |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 1.04 kW |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 72 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 75 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
| Qg-栅极电荷 | 240 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,264
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥173.6182
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥173.6182 | ￥173.6182 |
| 5+ | ￥170.8946 | ￥854.4730 |
| 10+ | ￥160.1151 | ￥1,601.1510 |
| 25+ | ￥152.9229 | ￥3,823.0725 |
| 50+ | ￥149.5119 | ￥7,475.5950 |
| 100+ | ￥134.9512 | ￥13,495.1200 |
| 200+ | ￥125.9080 | ￥25,181.6000 |
| 500+ | ￥115.1285 | ￥57,564.2500 |
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