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| 数据手册 | APT4M120K 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 技术 | SI |
| 商标名 | Power MOS 8 |
| Pd-功率耗散 | 225 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
| Id-连续漏极电流 | 5 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 3.12 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 43 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存:50,277
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥27.0149
| 数量 | 单价(含税) | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ¥27.0149 | ¥27.0149 |
| 10+ | ¥21.7530 | ¥217.5300 |
| 100+ | ¥19.7698 | ¥1,976.9800 |
| 250+ | ¥17.8484 | ¥4,462.1000 |
| 500+ | ¥15.9269 | ¥7,963.4500 |
| 1,000+ | ¥13.4502 | ¥13,450.2000 |
| 2,500+ | ¥12.7627 | ¥31,906.7500 |
| 5,000+ | ¥11.7138 | ¥58,569.0000 |
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