文档与媒体
| 数据手册 | IPD50N04S4L08ATMA1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 封装 | Cut Tape, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-252-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 46 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V, - 16 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Id-连续漏极电流 | 50 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 6.2 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.2 V |
| Qg-栅极电荷 | 30 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,149
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥4.9535
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥4.9535 | ￥4.9535 |
| 10+ | ￥4.1073 | ￥41.0730 |
| 100+ | ￥2.4944 | ￥249.4400 |
| 1,000+ | ￥2.1154 | ￥2,115.4000 |
| 2,500+ | ￥1.7892 | ￥4,473.0000 |
| 10,000+ | ￥1.6570 | ￥16,570.0000 |
| 25,000+ | ￥1.6306 | ￥40,765.0000 |
申请更低价? 请联系客服
