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数据手册 | IXTN90N25L2 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Chassis Mount |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 735 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
Id-连续漏极电流 | 90 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 33 mOhms |
库存:57,165
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥223.6200
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥223.6200 | ¥223.6200 |
5+ | ¥221.6368 | ¥1,108.1840 |
10+ | ¥202.7396 | ¥2,027.3960 |
25+ | ¥190.6556 | ¥4,766.3900 |
50+ | ¥186.8744 | ¥9,343.7200 |
100+ | ¥173.8033 | ¥17,380.3300 |
200+ | ¥162.2217 | ¥32,444.3400 |
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