SQS405ENW-T1_GE3
MOSFET P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | SQS405ENW-T1_GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | PowerPAK-1212-8 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | TrenchFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 39 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 8 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 12 V |
| Id-连续漏极电流 | 16 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 14 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1 V |
| Qg-栅极电荷 | 75 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,656
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥5.5793
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥5.5793 | ￥5.5793 |
| 10+ | ￥4.8213 | ￥48.2130 |
| 100+ | ￥3.7283 | ￥372.8300 |
| 500+ | ￥3.1378 | ￥1,568.9000 |
| 1,000+ | ￥2.4767 | ￥2,476.7000 |
| 3,000+ | ￥2.3445 | ￥7,033.5000 |
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