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数据手册 | IXFK520N075T2 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 175 C |
封装 / 箱体 | TO-264-3 |
技术 | SI |
商标名 | HiPerFET |
Pd-功率耗散 | 1.25 kW |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
Id-连续漏极电流 | 520 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 2.2 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
Qg-栅极电荷 | 545 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:57,364
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥73.1121
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥73.1121 | ¥73.1121 |
10+ | ¥66.0521 | ¥660.5210 |
25+ | ¥62.4560 | ¥1,561.4000 |
50+ | ¥61.3454 | ¥3,067.2700 |
100+ | ¥52.2318 | ¥5,223.1800 |
500+ | ¥46.0972 | ¥23,048.6000 |
1,000+ | ¥41.4522 | ¥41,452.2000 |
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