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数据手册 | IXFN38N100P 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Chassis Mount |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | HiPerFET |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 1 kW |
Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
Id-连续漏极电流 | 38 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 210 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
库存:56,498
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥231.7377
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥231.7377 | ¥231.7377 |
5+ | ¥220.1561 | ¥1,100.7805 |
10+ | ¥214.3300 | ¥2,143.3000 |
25+ | ¥196.9753 | ¥4,924.3825 |
50+ | ¥188.5491 | ¥9,427.4550 |
100+ | ¥183.0403 | ¥18,304.0300 |
200+ | ¥167.9772 | ¥33,595.4400 |
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