图像仅供参考 请参阅产品规格

    IRFP3703PBF

    MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IRFP3703PBF 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-247-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 230 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 30 V
    Id-连续漏极电流 210 A
    Rds On-漏源导通电阻 2.8 mOhms
    Qg-栅极电荷 209 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:57,502

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥25.5870
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥25.5870 ¥25.5870
    10+ ¥21.7530 ¥217.5300
    100+ ¥16.4205 ¥1,642.0500
    500+ ¥15.4245 ¥7,712.2500
    1,000+ ¥14.6841 ¥14,684.1000
    2,500+ ¥14.2522 ¥35,630.5000
    5,000+ ¥13.8204 ¥69,102.0000

    申请更低价? 请联系客服

    新品资讯