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| 数据手册 | IXFH52N50P2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 960 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 52 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 120 mOhms |
库存：50,422
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥48.3889
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥48.3889 | ￥48.3889 |
| 25+ | ￥43.6822 | ￥1,092.0550 |
| 50+ | ￥40.6502 | ￥2,032.5100 |
| 100+ | ￥39.7159 | ￥3,971.5900 |
| 250+ | ￥36.2520 | ￥9,063.0000 |
| 500+ | ￥33.0261 | ￥16,513.0500 |
| 1,000+ | ￥27.3851 | ￥27,385.1000 |
| 2,500+ | ￥27.0149 | ￥67,537.2500 |
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