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| 数据手册 | IXTT12N150 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-268-3 |
| 技术 | SI |
| Pd-功率耗散 | 890 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 2 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 106 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,868
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥67.6651
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥67.6651 | ￥67.6651 |
| 10+ | ￥62.1475 | ￥621.4750 |
| 100+ | ￥61.4688 | ￥6,146.8800 |
| 250+ | ￥56.3832 | ￥14,095.8000 |
| 500+ | ￥51.1212 | ￥25,560.6000 |
| 1,000+ | ￥42.8184 | ￥42,818.4000 |
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