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| 数据手册 | SIHB22N60AE-GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 179 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 156 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 48 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,688
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥23.8595
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥23.8595 | ￥23.8595 |
| 10+ | ￥20.0783 | ￥200.7830 |
| 100+ | ￥16.9141 | ￥1,691.4100 |
| 250+ | ￥16.6056 | ￥4,151.4000 |
| 500+ | ￥15.7418 | ￥7,870.9000 |
| 1,000+ | ￥12.2691 | ￥12,269.1000 |
| 2,000+ | ￥11.5904 | ￥23,180.8000 |
| 5,000+ | ￥11.1497 | ￥55,748.5000 |
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