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| 数据手册 | IXFN180N25T 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Chassis Mount |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 900 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Id-连续漏极电流 | 168 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 12.9 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
| Qg-栅极电荷 | 364 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,245
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥132.7212
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥132.7212 | ￥132.7212 |
| 10+ | ￥121.0779 | ￥1,210.7790 |
| 20+ | ￥111.9642 | ￥2,239.2840 |
| 50+ | ￥103.0445 | ￥5,152.2250 |
| 100+ | ￥100.5060 | ￥10,050.6000 |
| 200+ | ￥81.6088 | ￥16,321.7600 |
| 500+ | ￥76.3381 | ￥38,169.0500 |
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