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| 数据手册 | IXFN110N85X 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Chassis Mount |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 1.17 kW |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 850 V |
| Id-连续漏极电流 | 110 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 33 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 425 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,357
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥279.6330
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥279.6330 | ￥279.6330 |
| 5+ | ￥279.1394 | ￥1,395.6970 |
| 10+ | ￥260.8591 | ￥2,608.5910 |
| 25+ | ￥249.8945 | ￥6,247.3625 |
| 50+ | ￥242.4555 | ￥12,122.7750 |
| 100+ | ￥218.6665 | ￥21,866.6500 |
| 200+ | ￥217.7322 | ￥43,546.4400 |
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